科技日报成都3月31日电 (记者盛利)记者31日从中国工程物理研究院材料研究所获悉，国家重点研发计划“高分辨耐辐照硅探测器的研发与产业化应用”项目日前正式启动。该项目将打破国外垄断，首次研发出一系列具有自主知识产权的“高分辨耐辐照硅探测器”，未来应用于国防特殊辐射测量设备、公共安检X射线探测等诸多领域。

“射线探测技术作为现代科技关键核心技术，可称为‘国之利器’，在公共安检设备、国防建设、核能开发利用等领域有广泛应用空间，目前我国硅辐射探测器市场上的产品绝大部分被国外垄断，迫切需要在关键领域进行重点突破。”项目技术专家组组长、浙江大学材料学院硅材料国家重点实验室主任、中科院院士杨德仁说，高分辨耐辐照硅探测器在核辐射监测、高能粒子探测、X射线衍射仪、安检等应用广泛，本项目将通过以表面钝化和离子注入等关键技术突破为重点，获得具有自主知识产权的高性能硅辐射探测关键技术，从基础研究、工艺控制、器件研制、产品研发、产业化等各阶段提升核心竞争力，带动相关产业发展。

由四川艺精科技集团牵头申报，中国工程物理研究院材料研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所和江苏尚飞光电科技股份有限公司参与本项目，主要任务包括研制高压耐辐照硅探测器、面向公共安检应用的高性能X射线探测器、大面积X射线硅探测器等。项目总体组成员、中物院材料研究所研究员赵一英介绍说，耐高压硅探测器作为国防特殊辐射测量设备的核心部件，可拓宽脉冲辐射测量的动态范围，对中子、伽马射线等具有良好分辨力，未来团队将重点研究硅表面钝化工艺，通过控制硅表面氧化膜的厚度和质量来提高器件工作性能及辐照性能。